Суперкомпьютерное моделирование полупроводниковых квантовых наносистем
Ткаченко О.А., Ткаченко В.А.

При исследовании квантовых эффектов и электронного транспорта в наноструктурах требуется многократно решать задачи на больших сетках с варьированием двух и более внешних параметров. Эти вычисления эффективно распараллеливаются. Учет реальной геометрии структур или взаимодействия электронов позволил обнаружить новые физические эффекты: переключение направления тока в Y-разветвителе, флуктуации фазы и температурной зависимости осцилляций Ааронова-Бома в кольцевом интерферометре, появление дополнительной особенности кондактанса в микроконтакте, формирование фрактальных террас падения напряжения и точечное тепловыделение в разупорядоченной решетке антиточек. Статья рекомендована к публикации Программным комитетом Международной научной конференции "Параллельные вычислительные технологии" (ПаВТ-2012; http://agora.guru.ru/pavt2012).

Ключевые слова: численное моделирование, наноструктура, двумерный электронный газ, формула Ландауэра, рассеяние, уравнение Шредингера, уравнение Пуассона

Название статьи, аннотация и ключевые слова на английском языке

Ткаченко О.А., ст. науч. сотр., e-mail: otkach@isp.nsc.ru;   Ткаченко В.А., ст. науч. сотр., e-mail: vtkach@isp.nsc.ru - Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского Отделения РАН (ИФП СО РАН), просп. акад. Лаврентьева, 13, 630090, Новосибирск