Математическое моделирование процессов имплантации в кремний легирующих донорных и акцепторных примесей
Тарнавский Г.А.

Проводится краткое описание вычислительного метода математического моделирования одного из основных технологических процессов производства наноструктурированных полупроводниковых материалов. Приводятся результаты расчетов при вариации определяющих параметров. Обсуждаются некоторые проблемы математического моделирования при уменьшении размеров наноэлектромеханических систем. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 08–07–12001–офи).

Ключевые слова: математическое моделирование, легирование кремния, имплантация, донорные и акцепторные примеси

Тарнавский Г.А., вед. науч. сотр., e-mail: gennady.tarnavsky@gmail.com - Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, пр. Лаврентьева, 6, 630090, Новосибирск