Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках
Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Обрехт М.С.

     В работе рассматривается идеология приближенного моделирования сложного физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал, при движении по нему волны окисления, а также реализующий эту идеологию компьютерный алгоритм. Приводятся примеры расчетов сегрегации бора, мышьяка, фосфора и сурьмы в кремнии на границе "кремний/двуокись кремния".

Тарнавский Г.А., Шпак С.И. - Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, ул. Институтская, 4/1, 630007, Новосибирск; e-mail: shpak@itam.nsc.ru
Обрехт М.С. - Siborg Systems Ins., University of Waterloo, Depatment of Electrical and Computer Engineering, Waterloo, Ontario, Canada, N2L3G1; e-mail: obrecht@siborg.ca